* Examines the various methods available for circuit protection, including coverage of the newly developed ESD circuit protection schemes for VLSI circuits.
* Provides guidance on the implementation of circuit protection measures.
* Includes new sections on ESD design rules, layout approaches, package effects, and circuit concepts.
* Reviews the new Charged Device Model (CDM) test method and evaluates design requirements necessary for circuit protection.Thema dieses Buches sind elektrostatische Entladungseffekte (ESD) in integrierten Siliciumschaltkreisen, die sich zu einem wesentlichen Problem der modernen hochintegrierten Schaltungen mit Strukturbreiten in Sub-Mikrometer-Dimensionen entwickelt haben. Diese 2. Auflage des klassischen Handbuchs liefert einen kompletten Überblick über alle Aspekte des ESD und die unmittelbaren Folgerungen für Entwurf und Entwicklung neuer Schaltkreise und Technologien. Die Hälfte des Materials wurde neu aufgenommen. das Autorenteam wurde um drei international anerkannte Experten erweitert.